電界効果トランジスタ（でんかいこうかトランジスタ、Field effect transistor, FET）は、ゲート電極に電圧をかけ、チャネルの電界により電子または正孔の流れに関門（ゲート）を設ける原理で、ソース・ドレイン端子間の電流を制御するトランジスタである。電子と正孔の2種類のキャリアの働きによるバイポーラトランジスタに対し、いずれか1種類のキャリアだけを用いるユニポーラトランジスタである。FETは主にジャンクションFET（JFET）とMOSFETに大別される。他にMESFETなどがある。FETの動作原理は電界を使って電流を制御する点で真空管に類似している。

電界効果トランジスタ（でんかいこうかトランジスタ、Field effect transistor, FET）は、ゲート電極に電圧をかけ、チャネルの電界により電子または正孔の流れに関門（ゲート）を設ける原理で、ソース・ドレイン端子間の電流を制御するトランジスタである。電子と正孔の2種類のキャリアの働きによるバイポーラトランジスタに対し、いずれか1種類のキャリアだけを用いるユニポーラトランジスタである。FETは主にジャンクションFET（JFET）とMOSFETに大別される。他にMESFETなどがある。FETの動作原理は電界を使って電流を制御する点で真空管に類似している。